Snapdragon 835 là mẫu SoC vừa được Qualcomm chính thức ra mắt hướng đến những thiết bị di động cao cấp dự kiến sẽ ra mắt trong năm 2017. Qua những thông tin chính thức mà nhà sản xuất bộ xử lý di động nổi tiếng từ Mỹ này, có thể nhận thấy Snapdragon 835 được Samsung sản xuất trên quy trình 10nm FinFET.
Trong khi đó, 2 mẫu SoC vốn cũng được xếp vào hàng khủng trước đây là Snapdragon 821 và Snapdragon 820 được biết chỉ dừng lại ở quy trình sản xuất 14nm. Tính đến thời điểm hiện tại, tuy những đặc tả kỹ thuật chi tiết của mẫu SoC Qualcomm Snapdragon 835 vẫn chưa được công bố chính thức, nhưng qua những gì mà hãng này chia sẻ có thể nhận thấy sản phẩm mới cũng khá hứa hẹn khi được ứng dụng công nghệ sạc siêu tốc Quick Charge 4.0, vốn nhanh hơn 20% so với công nghệ sạc siêu tốc Quick Charge 3.0.
 |
| Qualcomm Snapdragon 835 được Samsung sản xuất trên quy trình 10nm. |
Cũng theo Qualcomm, Snapdragon 835 với công nghệ sạc nhanh thế hệ mới này có thể mang đến 5 giờ sử dụng chỉ với 5 phút sạc. Không chỉ giúp rút ngắn thời gian sạc, nhờ ứng dụng quy trình thiết kế mới, nên Snapdragon 835 cũng được rút gọn đáng kể về mặt kích thước vật lý so với người tiền nhiệm Snapdragon 821. Tuy không chia sẽ chi tiết nhân đồ họa tích hợp trên Snapdragon 835, nhưng Qualcomm khẳng định mẫu SoC thế hệ mới sản xuất trên quy trình 10nm này sẽ nhanh hơn 27% trong khi vẫn tiết kiệm năng lượng hơn 40% so với mẫu SoC Snapdragon 820.
Hy vọng trong thời gian ngắn sắp tới, làng smartphone sẽ có thêm thông tin chi tiết về bộ xử lý di động Qualcomm Snapdragon 835. Theo lộ trình, Snapdragon 835 sẽ sớm được xuất hiện trên các “siêu mẫu” ra mắt trong nửa đầu năm 2017.
Theo PC World VN
